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標(biāo)題: SAT 210等離子去膠機(jī) [打印本頁]

作者: ninali 時(shí)間: 2025-7-3 15:52
標(biāo)題: SAT 210等離子去膠機(jī)
一、設(shè)備定義與核心功能??
SAT 210等離子去膠機(jī)是一種利用??低溫氧等離子體??選擇性去除晶圓表面??光刻膠（Photoresist）??的干法工藝設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、先進(jìn)封裝、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等領(lǐng)域。其核心功能是通過物理轟擊與化學(xué)反應(yīng)的雙重作用，實(shí)現(xiàn)光刻膠的高效、無殘留去除，同時(shí)避免對底層材料（如金屬、介質(zhì)層）的損傷。
??二、核心工作原理??
??1.氧等離子體主導(dǎo)反應(yīng)??
??氣體電離??：通入高純度氧氣（O?），在射頻電場（通常13.56MHz）激發(fā)下產(chǎn)生等離子體，包含高活性??原子氧（O?）自由基、離子、電子及紫外線光子??。
??化學(xué)反應(yīng)??：
??光刻膠（C?H?）+原子氧（O）→CO?↑+H?O↑??
有機(jī)光刻膠被氧化分解為揮發(fā)性氣體（CO?、H?O），由真空系統(tǒng)抽除。
??2.物理輔助增強(qiáng)（可選）??
對??離子注入后硬化膠??或??金屬殘留膠??，可添加??氬氣（Ar）??，利用氬離子轟擊（物理濺射）提升去除效率。
??反應(yīng)平衡??：通過調(diào)節(jié)O?/Ar比例（典型值4:1）控制化學(xué)/物理作用占比，避免過度刻蝕損傷器件。
??三、SAT 210等離子去膠機(jī)主要特點(diǎn)
1.實(shí)時(shí)檢測和顯示真空度,使得機(jī)器在智能控制下有了可靠的依據(jù).
2.真空值可自由設(shè)定,(范圍:10—60帕)為外加氣體提供了可靠的輝光啟動(dòng)環(huán)境,為輝光純度提供了有利的保障,保證了實(shí)驗(yàn)效果的準(zhǔn)確性和可靠性.
3.真空腔體采用鉸鏈側(cè)開門結(jié)構(gòu)，帶有觀察窗，材料為6061材質(zhì).
4.真空腔體、管路、閥體全部為不銹鋼材料.
5.電容式（CCP）激發(fā),實(shí)驗(yàn)效果穩(wěn)定,均勻可靠,電極板置于樣品倉內(nèi)頂部懸掛.
6.薄膜按鍵+液晶屏顯示控制,手動(dòng)自動(dòng)兩種模式任意切換.
7.程序化設(shè)計(jì)，預(yù)先編輯好程序，儀器自動(dòng)完成實(shí)驗(yàn).
8.利用氣體電離后產(chǎn)生的等離子體的反應(yīng)活性與材料表面發(fā)生的物理或者化學(xué)反應(yīng)，使材料表面成分、組成和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，并能得到某些特定的基團(tuán)。
9.無需任何耗材，使用成本低，無需特殊進(jìn)行維護(hù)，在日常使用中保持儀器清潔即可。
??四、關(guān)鍵應(yīng)用場景??
??1.半導(dǎo)體前道制程??
??光刻后去膠??：去除曝光顯影后的光刻膠（如ArF、KrF、EUV膠）。
??離子注入后去膠??：處理硬化膠層（需O?/Ar混合氣體增強(qiáng)）。
??刻蝕/沉積掩模去除??：清除金屬刻蝕（如Al、Cu）或介質(zhì)沉積后的殘留膠。
??2.先進(jìn)封裝??
??RDL（重布線層）制程??：去除硅通孔（TSV）、銅柱（CuPillar）上的光刻膠。
??晶圓級封裝（WLP）??：清理微凸點(diǎn)（Microbump）周圍的膠殘留。
??3.MEMS/顯示制造??
??MEMS結(jié)構(gòu)釋放??：去除犧牲層光刻膠（如SOI晶圓上的Polyimide膠）。
??顯示面板制程??：清除TFT陣列或OLED像素定義膠層。
??4.特殊場景??
??金屬剝離（Lift-off）??：去除圖形化金屬沉積后的膠掩模，形成精細(xì)電極。
??灰化殘留物??：清理刻蝕/研磨后的有機(jī)聚合物殘留（如CMP后清洗）。
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